第一章 簡介   

1.1  半導體材料    

1.2  半導體元件    

1.3  半導體製程技術    

1.4  基本製程技術

1.5  總結       

 

第二章 晶體成長   

2.1  從熔融液之矽晶成長     

2.2  浮帶矽晶製程

2.3  砷化鎵晶體成長技術     

2.4  材料特性

2.5  總結       

 

第三章 矽氧化       

3.1  熱氧化過程    

3.2  氧化過程中雜質的再分佈     

3.3  二氧化矽層的遮罩特性 

3.4  氧化層的品質

3.5  氧化層厚度的量測 

3.7  總結       

 

第四章 微影   

4.1  光學微影

4.2  下世代微影技術    

4.4  總結       

 

第五章 蝕刻   

5.1  濕式化學蝕刻

5.2  乾式蝕刻

5.4  總結       

 

第六章 擴散   

6.1  基本擴散製程

6.2  外質擴散

6.3  橫向擴散

6.5  總結       

 

第七章 離子佈植   

7.1  佈植離子射程

7.2  佈植損壞與退火    

7.3  佈植相關製程

7.4  離子佈植模擬

7.5  總結       

 

第八章 薄膜沉積   

8.1  磊晶成長技術

8.2  磊晶層的結構與缺陷     

8.3  介電質沉積    

8.4  複晶矽沉積    

8.5  金屬鍍膜

8.6  沉積模擬

8.7  總結       

 

第九章 製程整合   

9.1  被動組件

9.2  雙載子電晶體技術 

9.3  金氧半場效電晶體技術 

9.4  金半場效電晶體技術     

9.5  微機電技術    

9.7  總結       

 

第十章 積體電路製造    

10.1  電性測試      

10.2  構裝     

10.3  統計製程管制      

10.4  統計實驗設計      

10.5  良率     

10.6  電腦整合製造      

10.7  總結     

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平時成績 50%
學期報告 50%